Похоже, что Elpida очень довольна собой и проделанной работой. Как стало известно, японская компания только что объявила о завершении разработки 50 нм технологического процесса для изготовления микросхем памяти DDR3 SDRAM. Такие микросхемы будут отличаться не только меньшими размерами, но и более низким энергопотреблением. Как утверждает Elpida, они могут обеспечить скорость обмена данными до 2,5 Гбит/с. Кстати, микросхемы следующего поколения от Elpida будут изготавливаться с применением технологии иммерсионной литографии 193 нм (ArF), которая считается самой передовой в этой области. Их рабочее напряжение составит 1,2, 1,35 и 1,5 В. Что касается рабочей частоты, тут возможны следующие варианты — 800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 и 2500 Мбит/с. Серийное производство таких микросхем памяти намечено на I квартал следующего года.
