Samsung Electronics официально объявила о выходе двух быстрых модулей памяти LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2) ёмкостью 4 и 8 Гбайт. Новинки изготовлены по техпроцессу 30 нм, и как заявила южнокорейская компания, будут использоваться в мобильных устройствах.
Прежде всего стоить отметить, что оба модуля работают на частоте 1066 МГц. Таким образом, их рабочая частота в два с лишним раза выше по сравнению с модулями памяти, используемыми в современных мобильных устройствах. Более того, новинки еще отличаются особо высокой плотностью и производительностью. Кстати, модуль DRAM 8 Гбайт, построенный на двух микросхемах ёмкостью 4 Гбайт, потребляет на 25 процентов меньше энергии, чем аналогичный модуль, построенный на четырех микросхемах 2 Гбайт. К тому же, он еще тоньше своего предшественника: 0,8 мм против 1 мм.
Samsung уже приступила к рассылке тестовых образцов модулей 4 Гбайт. Что касается модулей 8 Гбайт, то южнокорейцы обещают, что поставки их тестовых образцов начнутся в этом месяце.
