В четверг Intel официально объявила, что компания разработала новую технологию, которая может существенно увеличить скорость обмена данными в микросхемах памяти. Данное заявление было сделано процессорным гигантом на форуме Research@Intel. Итак, если верить Intel, данная технология позволяет использовать не более двух транзисторов для каждой ячейки DRAM (dynamic RAM) без использования конденсаторов. Таким образом, модули DRAM, изготовленные с помощью новой технологии, будут очень компактны. К тому же, они не будут страдать от эффекта «узких мест» (bottleneck), характерного для модулей SRAM (static RAM).
По сути, данная разработка означает настоящую революцию в микроэлектронике. Скорее всего, эта технология будет применяться в разработке и изготовлении процессоров нового поколения. Если нынешние 45 нм процессоры Xeon могут обеспечить полосу пропускания от 18 до 20 Гбит/с, то применение встроенной памяти DRAM может довести эту цифру до 128 Гбит/с даже на старых процессорах, изготовленных по техпроцессу 65 нм. Более того, микросхемы DRAM могут хранить больше информации, и что не менее важно, по себестоимости они гораздо дешевле SRAM.
Скорее всего, данная технология от Intel будет использоваться в разработке 80-ядерного процессора Teraflops Research Chip, разработка которого активно ведется. Ни для кого не секрет, скорость обмена данными в микросхемах памяти имеет большое значение для высокопроизводительных процессоров. Хотя Intel не стала вдаваться в подробности, когда же выйдут первые процессоры с встроенной памяти DRAM на базе этой технологии, но, как ожидается, первые 16-ядерные процессоры от Intel появятся уже в следующем году.
