Компания Samsung сообщила о начале массового производства первых в индустрии 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4, произведенных по 20-нанометровому технологическому процессу. Новый чип мобильной памяти позволит продлить время работы батареи и ускорить загрузку приложений на мобильных устройствах с большим экраном и высоким разрешением. «Благодаря скорости ввода/вывода данных до 3200 мегабит в секунду, что в два раза быстрее, чем у стандартных DDR3 DRAM, используемых в ПК, новый 8-Гбит чип LPDDR4 может поддерживать запись и воспроизведение видео в формате UHD и непрерывную съемку в высоком разрешении более чем 20 мегапикселей»,- сообщают производители.
«Инициируя производство 20-нм 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4, которые работают даже быстрее, чем DRAM для ПК и серверов и при этом потребляют гораздо меньше энергии, мы вносим свой вклад в своевременный запуск флагманских мобильных устройств с большим экраном c разрешением UHD. Это крупное достижение в индустрии мобильной памяти, и мы будем продолжать тесно сотрудничать с мировыми производителями мобильных устройств, чтобы оптимизировать DRAM решения для мобильных ОС следующего поколения», – прокомментировал Джу Сан Чой (Joo Sun Choi), исполнительный вице-президент подразделения Memory Sales and Marketing компании Samsung Electronics.
Рабочее напряжение нового чипа LPDDR4 снижено на 1,1В относительно чипов предыдущего поколения LPDDR3, что делает новый чип от Samsung решением мобильной памяти с наименьшим потреблением энергии, доступным для смартфонов и планшетов с большим экраном и высокопроизводительных систем. Например, при использовании 2-Гбайт модуля на основе 8-Гбит LPDDR4 можно сэкономить до 40 процентов энергии по сравнению с использованием 2-Гбайт модулем на основе 4-Гбит LPDDR3 за счет более низкого рабочего напряжения и более быстрой обработки.
