Компания Samsung сообщила о начале массового производства 128-гигабайтной скоростной флэш-памяти для флагманских смартфонов, на основе технологии Universal Flash Storage (UFS) 2.0. UFS 2.0 – это самая новая JEDEC-совместимая спецификация для флэш-накопителей следующего поколения. «С запуском в массовое производство ультрабыстрой UFS флэш-памяти с самой большой в индустрии емкостью мы делаем значительный вклад в то, чтобы обеспечить более продвинутый мобильный опыт для потребителей, – сказал Jee-ho Baek (Джи Хо Бэк), старший вице-президент подразделения Memory Sales and Marketing компании Samsung Electronics. – В будущем мы продолжим увеличивать количество наших решений для хранения данных с высокой пропускной способностью, стимулируя дальнейший рост рынка премиум памяти».
Samsung UFS 2.0 флэш-память имеет технологию Command Queue, которая повышает скорость выполнения команд в SSD-накопителях благодаря последовательному интерфейсу, что значительно увеличивает скорость обработки данных по сравнению с 8-битным параллельным интерфейсом на основе стандарта eMMC. В результате, производительность при операциях чтения с произвольным доступом новинки от Samsung составит 19 000 IOPS (Input/Оutput Operations Per Second – количество операций ввода/вывода в секунду), что в 2,7 раза быстрее, чем скорость eMMC 5.0, наиболее распространенного сегодня типа встроенной памяти для высокопроизводительных смартфонов. И это более чем в 12 раз быстрее, чем скорость произвольного чтения в 1500 IOPS, которую обеспечивают стандартные карты высокоскоростной памяти. Также эта технология обеспечит высокую скорость последовательного чтения и записи, увеличивая производительность до уровня SSD. Вместе с тем, новая флэш-память от Samsung позволяет сократить потребление энергии до 50 процентов. Новая Samsung UFS 2.0 флэш-память будет выпускаться в версиях с объемом 128 ГБ, 64 ГБ и 32 ГБ. О точных датах выпуска в мировые продажи новой Samsung UFS 2.0 пока не сообщается.
