Samsung Electronics объявила о старте массового производства своей первой встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти на базе 28-нм технологического процесса FD-SOI, которая получила название 28FDS. Благодаря этому представленное Samsung решение eMRAM обеспечивает преимущества для различных сфер применения микроконтроллеров, устройств Интернета вещей и технологий искусственного интеллекта.
Магниторезистивный эффект, лежащий в ее основе, предполагает высокую масштабируемость и обеспечивает превосходные технические характеристики, в том числе энергонезависимость, возможность произвольного доступа и высокую износостойкость. Представленное Samsung решение eMRAM на базе 28FDS обеспечивает преимущества с точки зрения энергопотребления и скорости при меньшей стоимости.
Поскольку модуль eMRAM можно с легкостью интегрировать в конце технологического процесса (back-end of the process) с добавлением минимального числа слоев. Благодаря «встраиваемой» (plug-in) модульной концепции заказчики получают возможность использования уже существующей инфраструктуры проектирования.
В течение ближайшего года Samsung намерена расширить портфолио решений eNVM высокой плотности, в частности, передать в производство тестовый чип eMRAM емкостью 1ГБ.
