Микросхемы высокой емкости DRAM от Samsung

Компания Samsung Electronics заявила о начале выпуска новых микросхем DRAM памяти самой высокой емкости. Модули памяти LPDDR4X емкостью 12ГБ и модули eUFS емкостью 512ГБ смогут существенно расширить потенциал смартфонов, которые все чаще оснащаются новыми технологиями, вроде увеличенного количества камер и расширенного экрана.

Related posts

Leave a Comment