Samsung официально объявила о начале серийного производства NAND Flash памяти по техпроцессу 20 нм с применением технологии MLC (Multi-Level Cell) 32 Гб. Как ожидается, такие модули памяти будут использоваться в смартфонах, картах памяти и других мобильных устройствах. Если верить южнокорейской компании, они на 50 процентов эффективнее, чем модули NAND Flash памяти, изготовленные по техпроцессу 30 нм с применением той же технологии MLC.
По официальным данным, скорость записи на картах памяти 8 Гбайт, которые построены на базе 20 нм модулей памяти, на 30 процентов выше, чем у карт с 30 нм модулями MLC NAND Flash. Последние, напомним, обладают скоростью записи и чтения данных 10 и 20 Мб/с соответственно.
Samsung также сообщила, что поставки тестовых образцов 20 нм модулей NAND Flash памяти уже начались, а их производство будет расширено во второй половине этого года.
