IM Flash Technologies, совместное предприятие Intel и Micron, анонсировало новую технологию флэш-памяти типа NAND, которая приблизительно в пять раз быстрее памяти существующей на данный момент. Новая высокоскоростная разработка позволит вести запись информации со скоростью до 100 Мбайт в секунду, а скорость чтения составит умопомрачительные 200 Мб/c. Новая NAND память будет основана на спецификации ONFI 2.0, которая позволит значительно расширить пропускную способность интерфейса.
Intel намерена активно продвигать данную технологию на цифровом рынке, новшество позволит значительно расширить производительность флэш-памяти, что позволит активно внедрять новые интерфейсы, наподобие грядущей USB 3.0.
NAND технология уже используется компанией Micron в изготовлении 8Гбайт чипов, выход которых намечен на вторую половину этого года. Новые устройства будут производиться на основе 50-нм техпроцесса, и их производительность будет на недосягаемом, на данный момент уровне. Правда есть вероятность того, что цены на новую память будут достаточно высоки, но большие возможности всегда стоят больших денег.
