Как сообщает Tech Connect Magazine, Hynix Semiconductor только что объявила о изготовлении первых в мире микросхем памяти DRAM 2 Гбит. Данные микросхемы изготовлены по техпроцессу 54 нм, и их можно использовать в модулях SDRAM или DDR DRAM. На нижеприведенной фотографии можно видеть такие же микросхемы от Hynix, но их объём составляет всего 1 Гбит, и они изготовлены по техпроцессу 66 нм.
Новые микросхемы DRAM от Hynix отличаются довольно низким рабочим напряжением (1,2 В) и могут обеспечить скорость обмена данными до 400 Мбит/с. Они полностью соответствуют всем стандартам, разработанным JEDEC, и, как ожидается, серийное производство таких микросхем памяти начнется уже в первом полугодии 2009 года.
