Хотя Hynix никогда не была известна как ведущий игрок на рынке модулей памяти GDDR5 как Qimonda или Samsung, по всей видимости в последнее время южнокорейская компания добилась немалых успехов в этой области. Как стало известно, Hynix только что объявила, что ей удалось изготовить первые модули DRAM 1Гбит, которые способны обеспечить скорость обмена данными 7 Гбит/с. Новые микросхемы памяти изготовлены по техпроцессу 54 нм и могут обрабатывать данные со скоростью до 28 Гбайт/с. Они используют 32-битный контроллер ввода/вывода и потребляют всего 1,35 Вт.
Напоминаем, что предыдущий рекорд принадлежал модулям DRAM от Samsung, которые способны обеспечить обмен данными на скорости до 6 Гбит/с. Как ожидается, микросхемы GDDR5 DRAM 7 Гбит/с будут использоваться в графических картах hi-end. Их серийное производство намечено на первую половину следующего года.
