Samsung Electronics начала производство eMRAM продуктов на базе 28нм техпроцесса FD-SOI

Samsung Electronics объявила о старте массового производства своей первой встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти на базе 28-нм технологического процесса FD-SOI, которая получила название 28FDS. Благодаря этому представленное Samsung решение eMRAM обеспечивает преимущества для различных сфер применения микроконтроллеров, устройств Интернета вещей и технологий искусственного интеллекта. Магниторезистивный эффект, лежащий в ее основе, предполагает высокую масштабируемость и обеспечивает превосходные технические характеристики, в том числе энергонезависимость, возможность произвольного доступа и высокую износостойкость. Представленное Samsung решение eMRAM на базе 28FDS обеспечивает преимущества с точки зрения энергопотребления и скорости при меньшей стоимости. Поскольку модуль eMRAM можно с…

Read More